El Pentágono implanta ‘chips de memoria’ en los cerebros de 24 voluntarios

La implantación de matrices de electrodos en el cerebro ha demostrado la posibilidad de aumentar la capacidad de la memoria humana, lo que permitiría elaborar en el futuro próximo una tecnología de curación de la pérdida de memoria causada por el traumatismo craneoencefálico, afirmó en un comunicado el jefe del programa Restoring Active Memory (RAM, por sus siglas en inglés) de DARPA, Justin Sánchez.

Los sujetos que participaron en el estudio tienen problemas neurológicos no relacionados con la pérdida de memoria, pero se ofrecieron como voluntarios para probar las nuevas tecnologías de la intervención neurotecnológica y se sometieron a la cirugía cerebral.

Las pequeñas matrices de electrodos fueron colocadas en las regiones del cerebro involucradas en la formación de memoria declarativa (utilizada recordar objetos, hechos o eventos específicos) y, también, en las regiones implicadas en la memoria espacial y la navegación. Estos dispositivos se utilizaron para estimular el proceso de trasmisión de señales neuronales.

«Los resultados iniciales indicaron que sí es posible capturar e interpretarlas señales clave o ‘códigos neuronales’ que vienen del cerebro humano durante la codificación de la memoria y la recuperación, y mejorar la memoria al proporcionar estimulación eléctrica específica del cerebro», explicó Sánchez.

El objetivo de los científicos es crear un dispositivo inalámbrico neuronal que podría con facilidad implantarse en el cerebro para descifrar los impulsos nerviosos y facilitar o recuperar el proceso de actuación de estas señales a través de una estimulación neuronal. El traumatismo craneoencefálico se ha convertido en un problema grave en EE.UU. A más de 270.000 de soldados estadounidenses se les ha diagnosticado esta afectación del cerebro desde el inicio de este siglo, mientras que el número de civiles que la padecen asciende a 1,7 millones.

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